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小猪app下载致力于磷化铟单晶的生长研发和磷化铟单晶圆基片加工。磷化铟(InP)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料;有两个独特的物理性能:波长稳定和高迁移率。因此磷化铟成为唯一能应用于微波、毫米波器件领域中的高端材料。磷化铟单晶VGF法生长合格值是EPD≦3000cm2,我司成功生长的磷化铟单晶EPD≦1400cm2

4寸磷化铟单晶晶锭出炉前

InP单晶片品质参数(VGF法生

3、4寸磷化铟单晶晶锭(S

3、4寸磷化铟单晶晶锭(S

3寸开盒即用型磷化铟单晶

InP单晶片品质参数(VGF法生

4寸开盒即用型磷化铟单晶

InP单晶片品质参数(VGF法生

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