| InP单晶片品质参数(VGF法生长) | ||||||
| 品种 | 直径(inch) | 类型 | 载流子浓度(cm-3) | 电子迁移率(cm2/V.s) | 电阻率(Ω.m) | 错位密度(cm-2) |
| InP | 2 | N | ≤1×1016 | (3.5-4)×103 | ＜1×103 | |
| S-InP | 2 | N | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | ＜500 | |
| 3 | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | ＜1×103 | |||
| 4 | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | ＜2×103 | |||
| Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.5-1)×1017 | 50-70 | ＜1×103 | |
| Fe-InP | 2 | SI | ＞2000 | ＞0.5×107 | ＜2.5×103 | |
| 3 | ||||||
| 4 | ||||||
| 晶片单位面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100），2英寸片标准厚度350±25μm，3英寸片标准厚度500±25μm，4英寸片标准厚度625±25μm，其他特殊规格根据要求加工。 | ||||||
